傾佳電子（Changer Tech）專(zhuān)業(yè)分銷(xiāo)基本™（BASiC Semiconductor）碳化硅SiC功率MOSFET,BASiC基本™碳化硅MOSFET模塊，BASiC基本™單管IGBT，BASiC基本™IGBT模塊，BASiC基本™三電平IGBT模塊，BASiC基本™I型三電平IGBT模塊，BASiC基本™T型三電平IGBT模塊，BASiC基本™混合SiC-IGBT單管，BASiC基本™混合SiC-IGBT模塊，單通道隔離驅(qū)動(dòng)芯片BTD5350,雙通道隔離驅(qū)動(dòng)芯片BTD21520,單通道隔離驅(qū)動(dòng)芯片（帶VCE保護(hù)）BTD3011,BASiC基本™混合SiC-IGBT三電平模塊應(yīng)用于光伏逆變器，雙向AC-DC電源，戶用光伏逆變器，戶用光儲(chǔ)一體機(jī)，儲(chǔ)能變流器，儲(chǔ)能PCS,雙向LLC電源模塊，儲(chǔ)能PCS-Buck-Boost電路，光儲(chǔ)一體機(jī),PCS雙向變流器，三相維也納PFC電路,三電平LLC直流變換器,移相全橋拓?fù)涞刃履茉搭I(lǐng)域。在光伏逆變器、光儲(chǔ)一體機(jī)、儲(chǔ)能變流器PCS、OBC車(chē)載充電器，熱管理電動(dòng)壓縮機(jī)驅(qū)動(dòng)器，射頻電源，PET電力電子變壓器，氫燃料空壓機(jī)驅(qū)動(dòng)，大功率工業(yè)電源，工商業(yè)儲(chǔ)能變流器，變頻器，變槳伺服驅(qū)動(dòng)輔助電源，高頻逆變焊機(jī)，高頻伺服驅(qū)動(dòng)，AI服務(wù)器電源，算力電源，數(shù)據(jù)中心電源，機(jī)房UPS等領(lǐng)域與客戶戰(zhàn)略合作，傾佳電子（Changer Tech）全力支持中國(guó)電力電子工業(yè)發(fā)展！   傾佳電子（Changer Tech）致力于國(guó)產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET功率器件在電力電子市場(chǎng)的推廣！Changer Tech-Authorized Distributor of BASiC Semiconductor which committed to the promotion of BASiC™ silicon carbide (SiC) MOSFET power devices in the power electronics market!   傾佳電子（Changer Tech）專(zhuān)業(yè)分銷(xiāo)基本™（BASiC Semiconductor）隔離驅(qū)動(dòng)IC產(chǎn)品主要有BTD21520xx是一款雙通道隔離門(mén)極驅(qū)動(dòng)芯片，輸出拉灌峰值電流典型值4A/6A，絕緣電壓高達(dá)5000Vrms@SOW14封裝、3000Vrms@SOP16封裝；抗干擾能力強(qiáng)，高達(dá)100V/ns；低傳輸延時(shí)至45ns；分別提供 3 種管腳配置：BTD21520M提供禁用管腳（DIS）和死區(qū)設(shè)置（DT）,BTD21520S提供禁用管腳（DIS)， BTD21520E 提供單一PWM輸入；副邊VDD欠壓保護(hù)點(diǎn)兩種可選：分別是5.7V和8.2V。主要規(guī)格有BTD21520MAWR，BTD21520MBWR，BTD21520SAWR，BTD21520SBWR，BTD21520EAWR，BTD21520EBWR，‍BTD21520MAPR，BTD21520MBPR，BTD21520SAPR，BTD21520SBPR，BTD21520EAPR，BTD21520EBPR，BTD5350xx是一款單通道隔離門(mén)極驅(qū)動(dòng)IC，輸出峰值電流典型值10A, 絕緣電壓高達(dá)5000Vrms@SOW8封裝，3000Vrms@SOP8封裝；抗干擾能力強(qiáng)，高達(dá)100V/ns；傳輸延時(shí)低至60ns；分別提供 3 種管腳配置：BTD5350M 提供門(mén)極米勒鉗位功能，BTD5350S 提供獨(dú)立的開(kāi)通和關(guān)斷輸出管腳，BTD5350E 對(duì)副邊的正電源配置欠壓保護(hù)功能；副邊VCC欠壓保護(hù)點(diǎn)兩種可選：分別是8V和11V。主要規(guī)格有BTD5350MBPR，BTD5350MCPR，BTD5350MBWR，BTD5350MCWR，BTD5350SBPR，BTD5350SCPR，BTD5350SBWR‍，BTD5350SCWR，BTD5350EBPR，BTD5350ECPR，BTD5350EBWR，BTD5350ECWR，BTD3011R是一款單通道智能隔離門(mén)極驅(qū)動(dòng)芯片，采用磁隔離技術(shù)；絕緣電壓高達(dá)5000Vrms@SOW16封裝；輸出峰值電流典型值15A；管腳功能集成功率器件短路保護(hù)和短路保護(hù)后軟關(guān)斷功能，集成原副邊電源欠壓保護(hù)；集成副邊電源穩(wěn)壓器功能，此穩(wěn)壓器可以根據(jù)副邊電源輸入電壓，使驅(qū)動(dòng)管腳自動(dòng)分配正負(fù)壓，適用在給電壓等級(jí)1200V以內(nèi)的IGBT或者碳化硅 MOSFET驅(qū)動(dòng)。BTL2752x 系列是一款雙通道、高速、低邊門(mén)極驅(qū)動(dòng)器，輸出側(cè)采用軌到軌方式；拉電流與灌電流能力可高達(dá) 5A，上升和下降時(shí)間低至 7ns 與 6ns；芯片的兩個(gè)通道可并聯(lián)使用，以增強(qiáng)驅(qū)動(dòng)電流能力；信號(hào)輸入腳更大可抗-5V的持續(xù)負(fù)壓，支持4個(gè)標(biāo)準(zhǔn)邏輯選項(xiàng)：BTL27523帶使能雙路反相，BTL27523B不帶使能雙路反相 和 BTL27524帶使能雙路同相，BTL27524B不帶使能雙路同相。主要規(guī)格：BTL27523R，BTL27523BR，BTL27524R，BTL27524BR   傾佳電子（Changer Tech）專(zhuān)業(yè)分銷(xiāo)基本™（BASiC Semiconductor）國(guó)產(chǎn)車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅(SiC)MOSFET，國(guó)產(chǎn)車(chē)規(guī)級(jí)AEC-Q101碳化硅(SiC)MOSFET，國(guó)產(chǎn)車(chē)規(guī)級(jí)PPAP碳化硅(SiC)MOSFET，全碳化硅MOSFET模塊，Easy封裝全碳化硅MOSFET模塊，62mm封裝全碳化硅MOSFET模塊，F(xiàn)ull SiC Module，SiC MOSFET模塊適用于超級(jí)充電樁，V2G充電樁，高壓柔性直流輸電智能電網(wǎng)(HVDC)，空調(diào)熱泵驅(qū)動(dòng)，機(jī)車(chē)輔助電源，儲(chǔ)能變流器PCS,光伏逆變器,超高頻逆變焊機(jī)，超高頻伺服驅(qū)動(dòng)器，高速電機(jī)變頻器等，光伏逆變器專(zhuān)用直流升壓模塊BOOST Module，儲(chǔ)能PCS變流器ANPC三電平碳化硅MOSFET模塊，光儲(chǔ)碳化硅MOSFET。專(zhuān)業(yè)分銷(xiāo)基本™SiC碳化硅MOSFET模塊及分立器件，全力支持中國(guó)電力電子工業(yè)發(fā)展！   汽車(chē)級(jí)全碳化硅功率模塊是基本™（BASiC Semiconductor）為新能源汽車(chē)主逆變器應(yīng)用需求而研發(fā)推出的系列MOSFET功率模塊產(chǎn)品，包括Pcore™6‍汽車(chē)級(jí)HPD模塊、‍Pcore™2‍汽車(chē)級(jí)DCM模塊、‍Pcore™1‍汽車(chē)級(jí)TPAK模塊、Pcore™2‍汽車(chē)級(jí)ED3模塊等，采用銀燒結(jié)技術(shù)等BASiC基本™更新的碳化硅 MOSFET 設(shè)計(jì)生產(chǎn)工藝，綜合性能達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，通過(guò)提升動(dòng)力系統(tǒng)逆變器的轉(zhuǎn)換效率，進(jìn)而提高新能源汽車(chē)的能源效率和續(xù)航里程。主要產(chǎn)品規(guī)格有：BMS800R12HWC4_B02，BMS600R12HWC4_B01，BMS950R12HWC4_B02，BMS700R12HWC4_B01，BMS800R12HLWC4_B02，BMS600R12HLWC4_B01，BMS950R12HLWC4_B02，BMS700R12HLWC4_B01，BMF800R12FC4，BMF600R12FC4，BMF950R08FC4，BMF700R08FC4，BMZ200R12TC4，BMZ250R08TC4   傾佳電子（Changer Tech）專(zhuān)業(yè)分銷(xiāo)BASiC基本™碳化硅(SiC)MOSFET專(zhuān)用雙通道隔離驅(qū)動(dòng)芯片BTD25350，原方帶死區(qū)時(shí)間設(shè)置，副方帶米勒鉗位功能，為碳化硅功率器件SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)而優(yōu)化。 BTD25350適用于以下碳化硅功率器件應(yīng)用場(chǎng)景： 充電樁中后級(jí)LLC用SiC MOSFET 方案 光伏儲(chǔ)能BUCK-BOOST中SiC MOSFET方案 高頻APF，用兩電平的三相全橋SiC MOSFET方案 空調(diào)壓縮機(jī)三相全橋SiC MOSFET方案 OBC后級(jí)LLC中的SIC MOSFET方案 服務(wù)器交流側(cè)圖騰柱PFC高頻臂GaN或者SiC方案   基本™（BASiC Semiconductor）再度亮相全球功率半導(dǎo)體展會(huì)——PCIM Europe 2023，在德國(guó)紐倫堡正式發(fā)布第二代碳化硅MOSFET新品。新一代產(chǎn)品性能大幅提升，產(chǎn)品類(lèi)型進(jìn)一步豐富，助力新能源汽車(chē)、直流快充、光伏儲(chǔ)能、工業(yè)電源、通信電源等行業(yè)實(shí)現(xiàn)更為出色的能源效率和應(yīng)用可靠性。   國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET可靠性及一致性如何確保？ 電力電子系統(tǒng)研發(fā)制造商一般需要碳化硅MOSFET功率器件批發(fā)商提供可靠性測(cè)試報(bào)告的原始數(shù)據(jù)對(duì)比和器件封裝的FT數(shù)據(jù)。 SiC碳化硅MOSFET可靠性報(bào)告原始數(shù)據(jù)主要來(lái)自以下可靠性測(cè)試環(huán)節(jié)的測(cè)試前后的數(shù)據(jù)對(duì)比，通過(guò)對(duì)齊可靠性報(bào)告原始數(shù)據(jù)測(cè)試前后漂移量的對(duì)比，從而反映器件的可靠性控制標(biāo)準(zhǔn)及真實(shí)的可靠性裕量。SiC碳化硅MOSFET可靠性報(bào)告原始數(shù)據(jù)主要包括以下數(shù)據(jù): SiC碳化硅MOSFET高溫反偏High Temperature Reverse Bias HTRB Tj=175℃VDS=100%BV SiC碳化硅MOSFET高溫柵偏（正壓）High Temperature Gate Bias（+） HTGB（+） Tj=175℃VGS=22V SiC碳化硅MOSFET高溫柵偏（負(fù)壓）High Temperature Gate Bias（-） HTGB（-） Tj=175℃VGS=-8V SiC碳化硅MOSFET高壓高濕高溫反偏High Voltage, High Humidity, High Temp. Reverse Bias HV-H3TRB Ta=85℃RH=85%VDS=80%BV SiC碳化硅MOSFET高壓蒸煮Autoclave AC Ta=121℃RH=100%15psig SiC碳化硅MOSFET溫度循環(huán)Temperature Cycling TC -55℃ to 150℃ SiC碳化硅MOSFET間歇工作壽命Intermittent Operational Life IOL △Tj≥100℃Ton=2minToff=2min FT數(shù)據(jù)來(lái)自碳化硅MOSFET功率器件FT測(cè)試(Final Test，也稱為FT)是對(duì)已制造完成的碳化硅MOSFET功率器件進(jìn)行結(jié)構(gòu)及電氣功能確認(rèn)，以保證碳化硅MOSFET功率器件符合系統(tǒng)的需求。 通過(guò)分析碳化硅MOSFET功率器件FT數(shù)據(jù)的關(guān)鍵數(shù)據(jù)（比如V(BR)DSS，VGS(th)，RDS(on)， IDSS）的正態(tài)分布，可以定性碳化硅MOSFET功率器件材料及制程的穩(wěn)定性，這些數(shù)據(jù)的定性對(duì)電力電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)及大批量制造的穩(wěn)定性也非常關(guān)鍵。   傾佳電子（Changer Tech）專(zhuān)業(yè)分銷(xiāo)的基本™（BASiC Semiconductor）第二代SiC碳化硅MOSFET兩大主要特色：   1.出類(lèi)拔萃的可靠性：相對(duì)競(jìng)品較為充足的設(shè)計(jì)余量來(lái)確保大規(guī)模制造時(shí)的器件可靠性。 BASiC基本™第二代SiC碳化硅MOSFET 1200V系列擊穿電壓BV值實(shí)測(cè)在1700V左右，高于市面主流競(jìng)品，擊穿電壓BV設(shè)計(jì)余量可以抵御碳化硅襯底外延材料及晶圓流片制程的擺動(dòng)，能夠確保大批量制造時(shí)的器件可靠性，這是BASiC基本™第二代SiC碳化硅MOSFET更關(guān)鍵的品質(zhì). BASiC基本™第二代SiC碳化硅MOSFET雪崩耐量裕量相對(duì)較高，也增強(qiáng)了在電力電子系統(tǒng)應(yīng)用中的可靠性。   2.可圈可點(diǎn)的器件性能：同規(guī)格較小的Crss帶來(lái)出色的開(kāi)關(guān)性能。 BASiC基本™第二代SiC碳化硅MOSFET反向傳輸電容Crss 在市面主流競(jìng)品中是比較小的，帶來(lái)關(guān)斷損耗Eoff也是市面主流產(chǎn)品中非常出色的，優(yōu)于部分海外競(jìng)品，特別適用于LLC應(yīng)用，典型應(yīng)用如充電樁電源模塊后級(jí)DC-DC應(yīng)用。   Basic™ (BASiC Semiconductor) second generation SiC silicon carbide MOSFET has two main features: 1. Outstanding reliability: Compared with competing products, there is sufficient design margin to ensure device reliability during mass manufacturing. The breakdown voltage BV value of BASiC Semiconductor's second-generation SiC silicon carbide MOSFET 1200V series is measured to be around 1700V, which is higher than mainstream competing products on the market. The breakdown voltage BV design margin can withstand silicon carbide substrate epitaxial materials and wafers. The swing of the tape-out process can ensure device reliability during mass manufacturing, which is the most critical quality of BASiC Semiconductor’s second-generation SiC silicon carbide MOSFET. BASiC Semiconductor’s second-generation SiC silicon carbide MOSFET The relatively high avalanche tolerance margin also enhances reliability in power electronic system applications. 2. Remarkable device performance: Smaller Crss with the same specifications brings excellent switching performance. BASiC Semiconductor's second-generation SiC silicon carbide MOSFET reverse transmission capacitor Crss is relatively small among mainstream competing products on the market, and its turn-off loss Eoff is also very good among mainstream products on the market, better than some overseas competing products. , especially suitable for LLC applications, typical applications such as charging pile power module downstream DC-DC applications.   Ciss：輸入電容（Ciss＝Cgd＋Cgs） ⇒柵極-漏極和柵極-源極電容之和：它影響延遲時(shí)間；Ciss越大，延遲時(shí)間越長(zhǎng)。BASiC基本™第二代SiC碳化硅MOSFET 優(yōu)于主流競(jìng)品。 Crss：反向傳輸電容（Crss＝Cgd） ⇒柵極-漏極電容：Crss越小，漏極電流上升特性越好，這有利于MOSFET的損耗，在開(kāi)關(guān)過(guò)程中對(duì)切換時(shí)間起決定作用，高速驅(qū)動(dòng)需要低Crss。 Coss：輸出電容（Coss＝Cgd＋Cds）⇒柵極-漏極和漏極-源極電容之和：它影響關(guān)斷特性和輕載時(shí)的損耗。如果Coss較大，關(guān)斷dv／dt減小，這有利于噪聲。但輕載時(shí)的損耗增加。   傾佳電子（Changer Tech）專(zhuān)業(yè)分銷(xiāo)的基本™（BASiC Semiconductor）B2M第二代碳化硅MOSFET器件主要特色： • 比導(dǎo)通電阻降低40%左右 • Qg降低了60%左右 • 開(kāi)關(guān)損耗降低了約30% • 降低Coss參數(shù)，更適合軟開(kāi)關(guān) • 降低Crss，及提高Ciss/Crss比值,降低器件在串?dāng)_行為下誤導(dǎo)通風(fēng)險(xiǎn) • 更大工作結(jié)溫175℃• HTRB、 HTGB+、 HTGB-可靠性按結(jié)溫Tj=175℃通過(guò)測(cè)試 • 優(yōu)化柵氧工藝，提高可靠性 • 高可靠性鈍化工藝 • 優(yōu)化終端環(huán)設(shè)計(jì)，降低高溫漏電流 • AEC-Q101   碳化硅MOSFET具有優(yōu)秀的高頻、高壓、高溫性能，是目前電力電子領(lǐng)域更受關(guān)注的寬禁帶功率半導(dǎo)體器件。在電力電子系統(tǒng)中應(yīng)用碳化硅MOSFET器件替代傳統(tǒng)硅IGBT器件，可提高功率回路開(kāi)關(guān)頻率，提升系統(tǒng)效率及功率密度，降低系統(tǒng)綜合成本。適用于高性能變換器電路與數(shù)字化先進(jìn)控制、高效率 DC/DC 拓?fù)渑c控制，雙向 AC/DC、電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電機(jī)（OBC）/雙向OBC、車(chē)載電源、集成化 OBC ，雙向 DC/DC、多端口 DC/DC 拓?fù)渑c控制，直流配網(wǎng)的電力電子變換器。SiC MOSFET越來(lái)越多地用于高壓電源轉(zhuǎn)換器，因?yàn)樗鼈兛梢詽M足這些應(yīng)用對(duì)尺寸、重量和/或效率的嚴(yán)格要求.   碳化硅 (SiC) MOSFET功率半導(dǎo)體技術(shù)代表了電力電子領(lǐng)域的根本性變革。SiC MOSFET 的價(jià)格比 Si MOSFET 或 Si IGBT 貴。然而，在評(píng)估碳化硅 (SiC) MOSFET提供的整體電力電子系統(tǒng)價(jià)值時(shí)，需要考慮整個(gè)電力電子系統(tǒng)和節(jié)能潛力。需要仔細(xì)考慮以下電力電子系統(tǒng)節(jié)?。?第一降低無(wú)源元件成本，無(wú)源功率元件的成本在總體BOM成本中占主導(dǎo)地位。提高開(kāi)關(guān)頻率提供了一種減小這些器件的尺寸和成本的方法。 第二降低散熱要求，使用碳化硅 (SiC) MOSFET可顯著降低散熱器溫度高達(dá) 50%，從而縮小散熱器尺寸和/或消除風(fēng)扇，從而降低設(shè)備生命周期內(nèi)的能源成本。 通常的誘惑是在計(jì)算價(jià)值主張時(shí)僅考慮系統(tǒng)的組件和制造成本。在考慮碳化硅 (SiC) MOSFET的在電力電子系統(tǒng)里的價(jià)值時(shí)，考慮節(jié)能非常重要。在電力電子設(shè)備的整個(gè)生命周期內(nèi)節(jié)省能源成本是碳化硅 (SiC) MOSFET價(jià)值主張的一個(gè)重要部分。   傾佳電子（Changer Tech）專(zhuān)業(yè)分銷(xiāo)的基本™第二代碳化硅MOSFET系列新品基于6英寸晶圓平臺(tái)進(jìn)行開(kāi)發(fā)，比上一代產(chǎn)品在比導(dǎo)通電阻、開(kāi)關(guān)損耗以及可靠性等方面表現(xiàn)更為出色。在原有TO-247-3、TO-247-4封裝的產(chǎn)品基礎(chǔ)上，基本™還推出了帶有輔助源極的TO-247-4-PLUS、TO-263-7及SOT-227封裝的碳化硅MOSFET器件，以更好地滿足客戶需求。   基本™第二代碳化硅MOSFET亮點(diǎn) 更低比導(dǎo)通電阻：第二代碳化硅MOSFET通過(guò)綜合優(yōu)化芯片設(shè)計(jì)方案，比導(dǎo)通電阻降低約40%，產(chǎn)品性能顯著提升。   更低器件開(kāi)關(guān)損耗：第二代碳化硅MOSFET器件Qg降低了約60%，開(kāi)關(guān)損耗降低了約30%。反向傳輸電容Crss降低，提高器件的抗干擾能力，降低器件在串?dāng)_行為下誤導(dǎo)通的風(fēng)險(xiǎn)。   更高可靠性：第二代碳化硅MOSFET通過(guò)更高標(biāo)準(zhǔn)的HTGB、HTRB和H3TRB可靠性考核，產(chǎn)品可靠性表現(xiàn)出色。   更高工作結(jié)溫：第二代碳化硅MOSFET工作結(jié)溫達(dá)到175°C，提高器件高溫工作能力。   傾佳電子（Changer Tech）專(zhuān)業(yè)分銷(xiāo)的基本™第二代碳化硅SiC MOSFET主要有B2M160120H，B2M160120Z，B2M160120R，B2M080120H,B2M080120Z，B2M80120R，B2M018120H，B2M018120Z，B2M020120Y，B2M065120H，B2M065120Z，B2M065120R，B2M040120H，B2M040120Z，B2M040120R，B2M032120Y，B2M018120Z。適用大功率電力電子裝置的SiC MOSFET模塊，半橋SiC MOSFET模塊，ANPC三電平碳化硅MOSFET模塊，T型三電平模塊，MPPT BOOST SiC MOSFET模塊。 B2M032120Y國(guó)產(chǎn)替代英飛凌IMZA120R030M1H，安森美NTH4L030N120M3S以及C3M0032120K。 B2M040120Z國(guó)產(chǎn)替代英飛凌IMZA120R040M1H，安森美NTH4L040N120M3S，NTH4L040N120SC1以及C3M0040120K，意法SCT040W120G3-4AG。 B2M020120Y國(guó)產(chǎn)替代英飛凌IMZA120R020M1H，安森美NTH4L020N120SC1，NTH4L022N120M3S以及C3M0021120K，意法SCT015W120G3-4AG。 B2M1000170R國(guó)產(chǎn)代替英飛凌IMBF170R1K0M1，安森美NTBG1000N170M1以及C2M1000170J。 B2M065120H國(guó)產(chǎn)代替安森美NTHL070N120M3S。 B2M065120Z國(guó)產(chǎn)代替英飛凌IMZ120R060M1H，安森美NVH4L070N120M3S，C3M0075120K-A，意法SCT070W120G3-4AG。   碳化硅 (SiC) MOSFET出色的材料特性使得能夠設(shè)計(jì)快速開(kāi)關(guān)單極型器件，替代升級(jí)雙極型 IGBT  （絕緣柵雙極晶體管）開(kāi)關(guān)。碳化硅 (SiC) MOSFET替代IGBT可以得到更高的效率、更高的開(kāi)關(guān)頻率、更少的散熱和節(jié)省空間——這些好處反過(guò)來(lái)也降低了總體系統(tǒng)成本。SiC-MOSFET的Vd-Id特性的導(dǎo)通電阻特性呈線性變化，在低電流時(shí)SiC-MOSFET比IGBT具有優(yōu)勢(shì)。 與IGBT相比，SiC-MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗可以大幅降低。采用硅 IGBT 的電力電子裝置有時(shí)不得不使用三電平拓?fù)鋪?lái)優(yōu)化效率。當(dāng)改用碳化硅 (SiC) MOSFET時(shí)，可以使用簡(jiǎn)單的兩級(jí)拓?fù)?。因此所需的功率元件?shù)量實(shí)際上減少了一半。這不僅可以降低成本，還可以減少可能發(fā)生故障的組件數(shù)量。SiC MOSFET 不斷改進(jìn)，并越來(lái)越多地加速替代以 Si IGBT 為主的應(yīng)用。 SiC MOSFET 幾乎可用于目前使用 Si IGBT 的任何需要更高效率和更高工作頻率的應(yīng)用。這些應(yīng)用范圍廣泛，從太陽(yáng)能和風(fēng)能逆變器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)到感應(yīng)加熱系統(tǒng)和高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。   隨著自動(dòng)化制造、電動(dòng)汽車(chē)、先進(jìn)建筑系統(tǒng)和智能電器等行業(yè)的發(fā)展，對(duì)增強(qiáng)這些機(jī)電設(shè)備的控制、效率和功能的需求也在增長(zhǎng)。碳化硅 MOSFET (SiC MOSFET) 的突破重新定義了歷史上使用硅 IGBT (Si IGBT) 進(jìn)行功率逆變的電動(dòng)機(jī)的功能。這項(xiàng)創(chuàng)新擴(kuò)展了幾乎每個(gè)行業(yè)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的能力。Si IGBT 因其高電流處理能力、快速開(kāi)關(guān)速度和低成本而歷來(lái)用于直流至交流電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。更重要的是，Si IGBT 具有高額定電壓、低電壓降、低電導(dǎo)損耗和熱阻抗，使其成為制造系統(tǒng)等高功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的明顯選擇。然而，Si IGBT 的一個(gè)顯著缺點(diǎn)是它們非常容易受到熱失控的影響。當(dāng)器件溫度不受控制地升高時(shí)，就會(huì)發(fā)生熱失控，導(dǎo)致器件發(fā)生故障并更終失效。在高電流、電壓和工作條件常見(jiàn)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中，例如電動(dòng)汽車(chē)或制造業(yè)，熱失控可能是一個(gè)重大的設(shè)計(jì)風(fēng)險(xiǎn)。   電力電子轉(zhuǎn)換器提高開(kāi)關(guān)頻率一直是研發(fā)索所追求的方向，因?yàn)橄嚓P(guān)組件（特別是磁性元件）可以更小，從而產(chǎn)生小型化優(yōu)勢(shì)并節(jié)省成本。然而，所有器件的開(kāi)關(guān)損耗都與頻率成正比。IGBT 由于“拖尾電流”以及較高的門(mén)極電容的充電/放電造成的功率損耗，IGBT 很少在 20KHz 以上運(yùn)行。SiC MOSFET在更快的開(kāi)關(guān)速度和更低的功率損耗方面提供了巨大的優(yōu)勢(shì)。IGBT 經(jīng)過(guò)多年的高度改進(jìn)，使得實(shí)現(xiàn)性能顯著改進(jìn)變得越來(lái)越具有挑戰(zhàn)性。例如，很難降低總體功率損耗，因?yàn)樵趥鹘y(tǒng)的 IGBT 設(shè)計(jì)中，降低傳導(dǎo)損耗通常會(huì)導(dǎo)致開(kāi)關(guān)損耗增加。   作為應(yīng)對(duì)這一設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)的解決方案，SiC MOSFET 具有更強(qiáng)的抗熱失控能力。碳化硅 的導(dǎo)熱性更好，可以實(shí)現(xiàn)更好的設(shè)備級(jí)散熱和穩(wěn)定的工作溫度。SiC MOSFET 更適合較溫暖的環(huán)境條件空間，例如汽車(chē)和工業(yè)應(yīng)用。此外，鑒于其導(dǎo)熱性，SiC MOSFET 可以消除對(duì)額外冷卻系統(tǒng)的需求，從而有可能減小總體系統(tǒng)尺寸并降低系統(tǒng)成本。   由于 SiC MOSFET 的工作開(kāi)關(guān)頻率比 Si IGBT 高得多，因此它們非常適合需要精確電機(jī)控制的應(yīng)用。高開(kāi)關(guān)頻率在自動(dòng)化制造中至關(guān)重要，高精度伺服電機(jī)用于工具臂控制、精密焊接和精確物體放置。此外，與 Si IGBT 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器系統(tǒng)相比，SiC MOSFET 的一個(gè)顯著優(yōu)勢(shì)是它們能夠嵌入電機(jī)組件中，電機(jī)控制器和逆變器嵌入與電機(jī)相同的外殼內(nèi)。使用SiC MOSFET 作為變頻器或者伺服驅(qū)動(dòng)功率開(kāi)關(guān)器件的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是，由于 MOSFET 的線性損耗與負(fù)載電流的關(guān)系，它可以在所有功率級(jí)別保持效率曲線“平坦”。SiC MOSFET變頻伺服驅(qū)動(dòng)器的柵極電阻的選擇是為了首先避免使用外部輸出濾波器，以保護(hù)電機(jī)免受高 dv/dt 的影響（只有電機(jī)電纜長(zhǎng)度才會(huì)衰減 dv/dt）。 SiC MOSFET變頻伺服驅(qū)動(dòng)器相較于IGBT變頻伺服驅(qū)動(dòng)器在高開(kāi)關(guān)頻率下的巨大效率優(yōu)越性.   盡管 SiC MOSFET 本身成本較高，但某些應(yīng)用可能會(huì)看到整個(gè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器系統(tǒng)的價(jià)格下降（通過(guò)減少布線、無(wú)源元件、熱管理等），并且與 Si IGBT 系統(tǒng)相比總體上可能更便宜。這種成本節(jié)省可能需要在兩個(gè)應(yīng)用系統(tǒng)之間進(jìn)行復(fù)雜的設(shè)計(jì)和成本研究分析，但可能會(huì)提高效率并節(jié)省成本?；?SiC 的逆變器使電壓高達(dá) 800 V 的電氣系統(tǒng)能夠顯著延長(zhǎng)電動(dòng)汽車(chē)?yán)m(xù)航里程并將充電時(shí)間縮短一半。   LLC，移相全橋等應(yīng)用實(shí)現(xiàn)ZVS主要和Coss、關(guān)斷速度和體二極管壓降等參數(shù)有關(guān)。Coss決定所需諧振電感儲(chǔ)能的大小，值越大越難實(shí)現(xiàn)ZVS；更快的關(guān)斷速度可以減少對(duì)儲(chǔ)能電感能量的消耗，影響體二極管的續(xù)流維持時(shí)間或者開(kāi)關(guān)兩端電壓能達(dá)到的更低值；因?yàn)槔m(xù)流期間的主要損耗為體二極管的導(dǎo)通損耗.在這些參數(shù)方面，B2M第二代碳化硅MOSFET跟競(jìng)品比，B2M第二代碳化硅MOSFET的Coss更小，需要的死區(qū)時(shí)間初始電流?。籅2M第二代碳化硅MOSFET抗側(cè)向電流觸發(fā)寄生BJT的能力會(huì)強(qiáng)一些。B2M第二代碳化硅MOSFET體二極管的Vf和trr 比競(jìng)品有較多優(yōu)勢(shì)，能減少LLC里面Q2的硬關(guān)斷的風(fēng)險(xiǎn)。綜合來(lái)看，比起競(jìng)品，LLC，移相全橋應(yīng)用中B2M第二代碳化硅MOSFET表現(xiàn)會(huì)更好.